PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統

 

PlasmaPro 100 Estrelas 平臺旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統（MEMS）、 封裝以及納米技術市場的各種工藝要求?？紤]到研究和生產的市場發展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。

· 光滑側壁工藝

· 高刻蝕速率腔刻蝕

· 高深寬比工藝

· 錐形通孔刻蝕

· 廣泛的應用領域

· 機械或靜電壓盤

· 加熱內襯          

· 改善重復性

· 延長了兩次清洗間的平均時間間隔（MTBC）

概述:

PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在確保覆蓋MEMS，封裝和納米技術的廣泛應用，從光滑側壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實現。

特征:

硬件設計使同***腔室中可進行Bosch™和超低溫刻蝕工藝，使得納米和微米結構刻蝕均可實現。

兼容50mm至200mm的襯底 - 確保您只需***臺系統，便具備從研發器件到量產的能力

自動匹配 - 擁有工藝靈活性

更高流量的質量流量計以及等離子發生器 - 自由基密度更高

減小的腔體尺寸和高效率的泵 - 確保氣體高速流通

快速近距離耦合質量流量計 - 快速控制（初始為ALD而開發）

應用:

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

· 二氧化硅和石英刻蝕